据"天津经开区—泰达"官网消息，近日，北京晶飞半导体科技有限公司（简称晶飞半导体）在天津经开区注册成立天津晶飞半导体科技有限公司，将投资2000万元在天津经开区微电子创新产业园打造高端激光剥离设备生产基地项目。
该基地主要产品包括激光剥离碳化硅设备和激光剥离金刚石设备，预计2026年10月开始厂房装修改造，年底设备进场，2027年上半年正式投产。
晶飞半导体成立于2023年7月，是一家源自中国科学院半导体研究所科技成果转化的高新技术企业，专注于碳化硅晶锭双脉冲激光剥离设备的研发、生产与销售，目前已形成激光改质、剥离及配套工艺的全流程技术方案，全面覆盖6英寸、8英寸及12英寸碳化硅衬底加工需求，公司研发人员占比超50%。
碳化硅是第三代半导体最具代表性的宽禁带材料，具备耐高压、高开关频率、高热导率等特性。然而碳化硅衬底生产长期受困于晶锭切片环节：传统金刚线切割损耗大、良率低、速度慢，成为大尺寸碳化硅衬底量产的主要堵点。晶飞半导体以激光垂直剥离（LLO）技术破解了该产业难题。同时，经开国投公司参与该企业A轮融资，助力其提升交付量产能力。
内容来源：宽禁带半导体技术创新联盟
