衬底剥离技术是半导体器件制备中的关键工艺，本文主要从激光剥离、化学剥离和机械剥离三个维度对其进行阐述，其中重点聚焦激光剥离技术。
1、激光剥离
原理：采用能量带隙大于GaN材料小于蓝宝石的激光进行照射，让GaN和蓝宝石结合处的GaN分解为Ga和N2 从而达到剥离的目的。
由于GaN材料需要达到一定温度发生热分解（大于800℃），因此激光能量的密度影响是关键
如图下午所示激光剥离作用位置
注意事项：
键合质量的好坏直接影响激光剥离的质量（后续再补充键合相关内容）。
热解气体的排出，GaN在分解的过程中会产生N2 ，气体在光斑大小的区域停留会产生大约6Gpa的气压，回事GaN破裂，所以如何疏导气体也是提高LLO良率的关键因素。
2、化学剥离
原理：在衬底和外延结构中间镀膜牺牲层，采用化学刻蚀的方法去除牺牲层厚实现化学剥离效果。
通常采用AlN和氧化硅作为牺牲层，先在蓝宝石衬底上生长U-GaN，然后在U-GaN通过PECVD生长SiO2 膜层，在SiO2 上镀膜AlN制备成牺牲层，最后在AlN上生长外延；可以采用HF溶液在80℃温度下对氧化硅进行溶解达到剥离的目的，也可以通过KOH溶液对AlN进行溶解达到剥离的目的。
因为GaN生长的牺牲层上所以在牺牲层上制备高质量的GaN成为一个难题。
3、机械剥离
原理：在蓝宝石表面制备玻璃层（六方氮化硼），然后通过机械剥离的方式进行衬底剥离，然而机械剥离就像蛮力剥离一样，会对外延片产生损伤，剥离良率较低。
