2026年初，激光与光芯片行业再度掀起“增资扩产潮”。
近期，云南锗业、长光华芯、源杰科技、三菲半导体等四家龙头企业相继公布扩产计划，覆盖磷化铟单晶片、高速光芯片等领域，目标直指技术自主与产能突围。
其中，云南锗业斥资1.89亿元扩建磷化铟产线，长光华芯以增资形式孵化新公司布局高端芯片，源杰科技投入近20亿元“双线扩产”，三菲半导体则将20亿元产业项目落地太仓，全方位完善光芯片产业链布局……这四大巨头协同发力，奏响国产光芯片突围的“集结号”。
云南锗业：
1.89亿扩建磷化铟产线
4月3日晚间，云南锗业发布公告，董事会同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”。该项目计划总投资1.8856亿元，旨在快速扩充这一关键半导体材料的产能。
根据规划，项目将在现有厂区内进行，通过对原有产线适应性改造，并新增主要工艺设备及公辅设施，扩建一条全新生产线。项目建成后，将实现年产30万片（折合4英寸，含6000片6英寸）高品质磷化铟单晶片的增量，使公司总产能达到年产45万片（4英寸当量）的规模。
据悉，磷化铟作为III-V族化合物半导体的核心材料，具备高电子迁移率、优异的抗辐射能力和高频光电转换效率，主要用于制造激光器、探测器芯片，是构建数据中心高速光模块和高功率激光器的基石。
云南锗业在公告中表示，随着光通信市场需求井喷，高速光模块进入规模化部署阶段，下游客户对磷化铟单晶片的需求激增，公司现有产能已无法满足市场需要。
此次扩产旨在抓住产业机遇，通过提升工艺技术、推动设备升级，进一步巩固其在关键材料领域的市场地位与供应能力。
长光华芯：
800万增资孵化星沅光电
3月18日晚间，长光华芯发布公告，其全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司拟出资800万元，增资关联方苏州星沅光电科技有限公司。增资完成后，研究院对星沅光电的持股比例将从20%提升至23.07%。
资料显示，星沅光电成立于2025年11月14日，是一家专注于高端磷化铟激光器芯片、器件及相关模块研发的高新技术企业，产品直指AI数据中心光通信、调频连续波激光雷达及光纤传感等前沿领域。
公告显示，自成立以来，星沅光电已基本完成核心团队组建、产品预研和工艺验证。本次增资所得资金将主要用于保障其技术产品研发、产线建设与日常运营，加速高端芯片的开发进程。
长光华芯此次战略投资，是其完善光通信及传感领域产业布局的关键一步。通过资本纽带深化技术合作，公司旨在整合内外部资源，快速切入高端磷化铟芯片这一高增长赛道。
源杰科技：
投入近20亿“双线并进”
2026年2月，国内光芯片IDM龙头企业源杰科技连续发布重磅扩产公告，通过“新建基地”与“加码产线”双线并进，总投资额接近20亿元。
公告称，公司计划投资约12.51亿元，建设“光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目”。该项目周期18个月，将新建光芯片生产线及配套厂房设施，为长期发展储备产能。
与此同时，源杰科技决定大幅增加对“50G光芯片产业化建设项目”的投入，总投资额由原计划的4.87亿元调增至7.57亿元，新增投资主要用于购置设备，以满足该产品线急剧增长的产能需求，标志着其50G光芯片已进入快速放量阶段。
随着全球AI算力建设浪潮推进，800G/1.6T光模块需求激增，导致上游高速光芯片出现供应短缺。源杰科技表示，目前数据中心市场所需的CW硅光光源产品已逐步放量。
三菲半导体：
20亿打造完整芯片产业链
4月8日，上海三菲半导体有限公司的化合物半导体光芯片制造基地项目正式签约，落户江苏太仓市城厢镇。该项目计划总投资高达20亿元，其中一期投资10亿元。
根据规划，该制造基地将主要从事磷化铟（InP）激光器与光电探测器芯片、砷化镓（GaAs）激光器芯片等高端产品的研发与制造，旨在打造覆盖外延生长、芯片制造到光电融合的一体化产业链。
根据规划，一期项目预计于2026年8月正式开工建设，2028年投产运营。项目全面达产后，预计可实现年产值超10亿元，将显著提升太仓当地光电子产业的能级与竞争力。
资料显示，三菲半导体成立于2002年，是国内少数同时掌握光芯片、电芯片及算法核心技术的企业。此次建设自有制造基地，是其扩大产能、完善产业链布局的战略性举措。
来源：激光制造网
