激光剥离（Laser Lift-Off，简称LLO）是目前Micro-LED工业界的主流方案——三星、索尼、JBD等Micro-LED头部厂商全部采用LLO工艺。
为什么必须用LLO？Micro-LED的发光外延层生长在蓝宝石衬底上，但蓝宝石衬底不导电、导热性差，会影响器件发光效率；同时脆性的蓝宝石也不利于Micro-LED向柔性显示方向发展。因此，必须在器件制造后把发光外延层从蓝宝石衬底上剥离下来，衬底还可回收复用。
LLO的基本过程是：激光束穿过透明的蓝宝石衬底，到达GaN外延层与蓝宝石的界面，被界面材料吸收后产生高热，使界面材料分解（通常是镓氮层分解为金属镓和氮气），从而实现外延层与蓝宝石衬底的选择性分离。整个剥离过程是一个单脉冲扫描过程，因此对激光束的均匀度和稳定性要求极高。
LLO的技术难点包括：激光波长选择（通常用248nm准分子激光或308nm）、能量密度精确控制（过高会损伤器件，过低剥离不净）、大面积均匀扫描、以及剥离后的衬底平整度。国内大族激光等厂商已推出Micro-LED激光剥离设备。
目前Micro-LED量产的更大瓶颈还包括巨量转移（Mass Transfer）良率、晶圆尺寸失配（硅基背板已到12英寸而外延片仍停留在4英寸）等，LLO只是其中关键一环。
内容来源：半导体OPT
