在5G通信与AI算力中心爆发的当下，光模块的核心“心脏”——分布式反馈（DFB）激光器正面临着功耗和良率的极致考验。近日，成都鸿辰光子半导体科技有限公司公布了一项硬核专利（申请号：CN202610216835.3），通过巧妙的“扩Zn处理+薄金层”工艺，一举攻克了掩埋异质结（BH）制备中的多项行业痛点，标志着国产高端光芯片在工艺量产上迈出了坚实的一步。
随着数据中心、5G承载网向更高速率（800G/1.6T）演进，对激光器的功耗和效率要求愈发严苛。传统的掩埋异质结（BH）结构虽然能限制载流子和光场，但要进一步降低阈值电流却极其困难。 以往的解决思路多是在“外延生长阶段”对外延结构（如量子阱）动刀子。但这种做法工艺容限极窄，微小的波动就会导致良率暴跌（行业良率普遍低于80%），且改动核心发光区极易引发模式不稳定等连锁风险，成为了悬在光芯片厂商头顶的“紧箍咒”。 成都鸿辰光子的该项发明专利（CN 121726836 A）跳出了“死磕外延生长”的传统怪圈，将优化的战场转移到了“全外延完成后的后段工艺”，大幅提升了工艺的自由度。01 行业痛点：传统工艺的“紧箍咒”
02 专利揭秘：四两拨千斤的“神仙工艺”
